从HBM4到HBM8，韩国Kaist Teralab介绍了HBM内存的长期

6月13日的Home报道说，Kiist韩国科学院子公司Terrabian学者Kim Joungho被某些行业内部人士称为“ HBM之父”。在本月11日的演讲中，他引入了从HBM4到HBM8的持久路线图。教授认为，HBM内存中I/O的数量在HBM5，HBM7和HBM8中增加了三倍，并且堆叠层，单层容量和PIN速率的数量也将逐步增加。粘结技术将从现有的微型颠簸转变为铜黄铜的直接键合（混合键合）。在这一代人的演变中，HBM堆栈的热量将逐渐增加，这将带来更高的散热需求。 Kim Joungho还分享了她对下一代HBM内存技术的重点的看法：TradeHBM4 HBM堆栈问题仅包含自定义DRAM芯片，在HBM系统中，HBM Base Die预计将包括LPDDR供应，以在HBM存储系统和HBM存储系统和HBM存储系统和新层中添加新层在传统模式下有效使用闲置容量和带宽资源。当HBM5到达HBM5时，预计堆栈堆栈将在计算块的内存附近包含NMC，这意味着可以降低HBM和AI XPU之间的带宽传输，计算操作的定位水平可以提高，并且系统的性能和能源效率可以提高。 HBM6的当前HBM都是单塔结构，其1个基本模具对应于1个鼓堆。预计HBM6将使用一个大型死亡基础来产生双塔的物理形状。同时，NMC的单位也将属于堆栈。另一方面，现有的XPU-HBM 2.5D软件包使用硅/硅硅连接，从而限制了扩展超大芯片复合材料的能力。用玻璃基板的硅玻璃复合插件的构建可以实现多个GPU模块的整合。 HBM7的HBM7，两个主要重点是多LEVEL存储系统由HBM和HBF组成，并通过将多功能桥嵌入DRAM堆栈来改善信号并增加其他功能。此外，HBM7还将引入一个已出现的冷却系统，以解决高性能造成的问题。 HBM8，在金·朱戈（Kim Jungo）最远的角度来看，他认为，目前，芯片综合体不仅会使用整个浴缸包装来容纳HBM的记忆，而且背部也将用于扩展存储，预防热量预防。